中华网财经7月29日讯，南大光电发布公告称，公司承担的国家科技重大专项（02专项）“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”之“先进光刻胶产品开发与产业化”项目，今日收到项目综合绩效评价结论书，项目通过了专家组验收。

南大光电表示，ArF光刻胶材料是集成电路制造领域的重要关键材料，可以用于90nm-14nm甚至7nm技术节点的集成电路制造工艺，广泛应用于高端芯片制造（如逻辑芯片、存储芯片、AI芯片、5G芯片和云计算芯片等）。

长期以来，国内高端光刻胶市场长期为国外巨头所垄断，对我国芯片制造具有“卡脖子”风险。尽快实现先进光刻胶材料的全面国产化和产业化具有十分重要的战略意义和经济价值。本项目研发任务的圆满完成，预计将对公司光刻胶事业的未来发展产生积极影响。

要注意的是，公司目前的ArF光刻胶产品尚未实现规模化量产。ArF光刻胶的复杂性决定了其在稳定量产阶段仍然存在工艺上的诸多风险，不仅需要技术攻关，还需要在应用中进行工艺的改进、完善。同时，ArF光刻胶产品国产化替代受品质、客户的严格要求，后续是否能取得下游客户的大批量订单，能否大规模进入市场仍存在较多的不确定性。这些都会影响ArF光刻胶的量产规模和经济效益。敬请广大投资者注意投资风险。

资料显示，南大光电是主要从事先进前驱体材料、电子特气、光刻胶及配套材料三类半导体材料产品生产、研发和销售的高新技术企业。

值得一提的是，光刻胶及配套材料是光刻工艺中的关键材料，主要应用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工。高端光刻胶是集成电路实现28nm、14nm乃至10nm以下制程的关键。

长期以来，全球高端光刻胶市场被以日本合成橡胶、东京应化、信越化学、富士电子材料等为代表的国外技术垄断。

而在我国，高端光刻胶领域仍有大量品种短缺或空白，因此，高端光刻胶技术成为了我国芯片制造的“卡脖子”难题，相关领域进口替代需求紧迫。

光刻工序是集成电路制造中重要的一环，是将设计好的集成电路图形由掩膜版转移至硅片后再进行下一步刻蚀的工艺，是集成电路制造中耗时大、难度高的工艺。光刻时会在硅片上涂一层光刻胶，经紫外线曝光后，光刻胶化学性质发生变化，再经显影后将曝光的光刻胶去除，实现图形从掩膜版到硅片的转移。光刻胶作为光刻环节的重要耗材，其质量和性能直接影响集成电路制造产线良率，是集成电路制造的核心材料之一。

按照应用领域的不同，光刻胶又可以分为印刷电路板（PCB）用光刻胶、液晶显示（LCD）用光刻胶、半导体用光刻胶和其他用途光刻胶。PCB光刻胶和LCD光刻胶技术壁垒相对较低，国产化率较高，而半导江苏南大光电材料股份有限公司2020年年度报告摘要5体光刻胶代表着光刻胶技术先进水平，尤其是高端光刻胶，目前国内公司量产层面近乎空白。

我国企业也在积极研发高端光刻胶产品，以打破国外垄断，实现光刻胶的进口替代。国内从事高端光刻胶研发和生产的公司主要有南大光电、上海新阳、晶瑞股份、北京科华等。

近期，我们可以看到，A股的光刻胶板块备受资金追捧，截至7月29日收盘，光刻胶板块当天更是大涨，南大光电、容大感光等个股涨停，更有多支个股涨超10%。自5月27日以来，南大光电两个月涨幅近150%，可谓是“潇洒”。